10. 参考文献须是作者亲自阅读参考的公开出版物,参考文献注录形式必须标准化,且文献不能过少,应至少18条。文献按文中出现的顺序统一编号,并列于文后,文献作者3名以内全部列出,4名以上则列出前3名,后加“,等”(英文加“,et al”),外文作者采用姓前(全部大写)名后格式,名用缩写。不加缩写点,如“FOLLEN G J”。各类文献著录格式如下:
[1] JONES K S, PRUSSIN S, WEBER E R,et al. A Systematic Analysis of Defects in Ion-implanted Silicon[J].Applied Physics Letters(期刊名), 1988,45(1):342–347.
[2] 白居宪.低噪声频率合成[M].西安(出版地):西安交通大学出版社(出版者),1995.
[3]
WEN Z M, CHOO K F. The Optimum Thermal of Microchannel Heat
Sinks[C]//Proceedings of IEEE CPMT Electronic Packaging Technology
Conference. New York, (开会城市):IEEE(会议组织机构),1997:123–129.