合作导师简介

骆军委，男，博士，研究员，博士生导师。现任半导体超晶格国家重点实验室副主任，兼计算材料和器件研究组长。2009年至2014年在美国可再生能源国家实验室先后担任永久职位研究员、资深研究员。

1977年生人，2000年和2003年在浙江大学分别获得学士和硕士学位，2006年在中国科学院半导体研究所获得博士学位，师从李树深院士，2007年01月至2009年11月在美国可再生能源国家实验室从事博士后研究，师从著名物理学家Alex Zunger教授，2009年11月至2014年2月在美国可再生能源国家实验室先后担任永久职位研究员、资深研究员，2014年02月进入中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室工作，组建从事光电信息功能材料和新能源材料的设计和器件性能预测的研究组。

专注于半导体物理与器件物理的研究，在半导体自旋轨道耦合效应和硅基发光材料等半导体量子信息技术中的半导体核心关键问题取得了一系列创新性的研究成果。包括（1）开发了世界先进的可用于模拟上千万个原子纳米尺度晶体管的全量子力学三维软件；（2）广泛研究了半导体量子点、量子线和量子阱的电学、光学和激子等性质,为开发基于半导体纳米材料的新一代信息技术提供理论指导；（3）揭示和解释了半导体材料、量子阱和量子线等系统中新奇的自旋轨道耦合效应，世界上首次发现在拥有反演对称中心的材料中存在隐藏的自旋极化效应；（4）用反向设计（inverse design）方法设计了高发光效率的准直接带隙Si/Ge超晶格，为硅光子集成技术所需的片上光源提供了配方；（5）对量子点太阳能电池的可行性做了系统研究，获得国际同行的广泛关注。已发表论文50余篇，包括Nature Materials 一篇、 Nature Physics 两篇、Nature Nanotechnology一篇（刚录用）、Nature Communications一篇、PRL五篇、Energy & Environmental Science 一篇、JACS一篇、Nano Letters七篇，撰写专著五章，在APS、ACS、E-MRS、JSAP-MRS、ICSNN等重要国际会议上作邀请报告或分会主席。

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研究方向

1.硅基发光材料及器件方向

具有半导体物理学、材料学、微电子学相关专业背景，在半导体发光材料，特别是硅基光源等拥有相关研究基础者优先考虑。拟开展研究内容为锗单晶材料掺杂发光和应变锗发光器件。

2.半导体掺杂与缺陷物理方向

具有凝聚态物理和半导体物理相关专业背景，在密度泛函理论第一性原理计算，半导体掺杂与缺陷物理等领域拥有相关研究基础者优先考虑。拟开展方向包括：半导体缺陷与掺杂理论计算与设计；非平衡掺杂与缺陷理论，宽禁带半导体中缺陷与掺杂。

3.含时密度泛函和高通量计算方向

基于含时密度泛函理论研究半导体中的超快动力学过程，包括超快激光诱导的半导体材料相变，热载流子激发态动力学和光与物质相互作用等。以及半导体合金及异质结等逆向设计。

4.固态量子信息方向

具有量子信息或者理论物理相关专业背景，在量子控制、量子退相干、量子纠错和量子精密测量拥有相关研究基础者优先考虑。拟开展量子退相干、量子控制、量子纠错和量子精密测量器件物理研究。

5.TCAD软件与概率计算方向

TCAD方向要求具有半导体材料工艺器件模拟经验，编写过相关的仿真程序。概率计算方向要求有FPGA开发经验，会用SPICE仿真建模，或者有搭建光学平台和硅光子仿真的丰富经验。拟开展的方向为半导体TCAD软件开发和概率计算硬件开发。

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年薪标准

年薪35-50万元（具体视研究经历）；

出站不以论文及基金为硬性条件，支持潜心科研；

按照国家规定足额缴纳相应社会保险和住房公积金；

博士后经聘用后，对符合申请条件的优秀全职在站博士后纳入“中科院特别研究助理“的管理，推荐其进行“博士后创新人才计划”和相关项目的申请。

享受全国博管会关于博士后的相关优惠政策，提供博士后公寓或住房补贴；

根据科研表现，通过实验室考核可获得留所编制。

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申请材料

联系人：伍绍腾

电子邮箱：wst@semi.ac.cn

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