Eurointervention（2023.1.23）：经导管主动脉瓣中瓣植入术中无造影剂的双烟囱支架术

一位虚弱的 88 岁女性，9 年前接受了外科主动脉瓣置换术（21 毫米 Trifecta 瓣膜；雅培）和冠状动脉旁路移植术（左乳内动脉 [LIMA] 至左前降支动脉），由于严重的假体内反流和功能失调的 LIMA出现心力衰竭。患者在冠状动脉造影后对造影剂产生了严重的过敏反应，并且出乎意料地在多层螺旋计算机断层扫描 (MSCT) 期间发生了第二次近乎致命的过敏反应，尽管术前使用了类固醇和抗组胺药。MSCT 确定伴随经导管主动脉瓣中瓣植入术 (ViV-TAVI) 的双侧冠状动脉阻塞的高风险（图 1A）。

在这种具有挑战性的情况下，ViV-TAVI 期间的先发制人双烟囱支架技术被认为是唯一可行的治疗方案（图 1B）。在局部麻醉下经股动脉 ViV-TAVI 期间，药物洗脱支架 (DES) 停放在左侧（LCA；4.0x20 mm；左侧桡动脉通路）和右侧（RCA；3.5x24 mm；右侧桡动脉通路）冠状动脉，以及植入了 23 mm Evolut PRO（美敦力）经导管心脏瓣膜 (THV)。根据先前的冠状动脉造影确定两个 DES 的大小。在最终 THV 释放之前，两个 DES 都被缩回并定位在 THV 框架旁边，然后同时植入在释放上（移动图像 1)。血管内超声 (IVUS) 证实了两个 DES 的适当位置，但显示 LCA DES 扩张不足，需要使用 5.0x21 mm 不顺应球囊进行后扩张（图 1C，移动图像 2，移动图像 3）。经胸超声心动图显示无瓣周漏和 12 mmHg 经人工瓣膜平均梯度。整个过程中没有使用造影剂。患者在接受双重抗血小板治疗后第 2 天出院，并在 1 年的临床随访中保持良好状态。为期 6 周的非对比 MSCT 显示两个 DES 的适当位置和扩张（图 1D）。

图 1.经导管主动脉瓣中瓣植入术中无造影剂的双烟囱支架置入术。A) MSCT 显示双侧冠状动脉阻塞的高风险。B) 双烟囱支架技术。CD) IVUS 和非对比 MSCT 确认两个 DES 的适当位置。DES：药物洗脱支架；IVUS：血管内超声；LCA：左冠状动脉；MSCT：多层计算机断层扫描；RCA：右冠状动脉；SOV：瓦氏窦；VTC：虚拟经导管心脏瓣膜到冠状动脉口的距离；VTSTJ：虚拟经导管心脏瓣膜到窦管交界处的距离.

无造影剂 ViV-TAVI 对于造影剂过敏或急性肾损伤高风险患者是可行的，因为大多数手术心脏瓣膜为 THV 植入提供了解剖学标志。对于冠状动脉阻塞高危患者，IVUS 有助于评估和优化烟囱支架置入术。

转自：“医谱学术”微信公众号

如有侵权，请联系本站删除！